热电阻温度计参数

 热电阻温度计参数

热电阻(RTD)温度计，适用于卫生和无菌应用场合

公制型仪表，采用通用技术

适用于所有标准应用场合，带固定不可更换铠装 芯子

热电阻温度计参数应用

• 专门设计用于食品&饮料和生命科学行业中的卫生和无菌应用场合

• 测量范围为–50…+200 °C (–58…+392 °F)

• Z大压力为 50 bar (725 psi)

• Z高防护等为 IP69K

• 可以在非防爆区域中使用

模块化变送器

相比于不经过温度变送器而直接接线的测量方法，Endress+Hauser 能为用户提供 高测量精度、高测量可靠性的温度变送器。根据实际工况条件，选择下列信号输出 和通信方式：

4…20 mA HART®模拟量输出

优势

• 高性价比和发货迅速

• 用户友好且可靠的从产品选型至维护过程

• 认证：卫生型标准，符合 3-A®认证、EHEDG 测试、ASME BPE 认证、FDA 认证、TSE 适用性认证

• 提供多种过程连接

测量原理

热电阻(RTD)

热电阻采用符合 IEC 60751 标准的 Pt100 温度传感器。温度传感器为温度敏感性铂热电阻，阻抗 为 100 Ω (0 °C (32 °F)时)，温度系数为 α = 0.003851 °C-1。

通常，有两种不同类型的铂热电阻：

• 绕线式(WW)：由两根细的高纯度铂丝在陶瓷载体内绕制而成，并通过陶瓷保护层在载体顶部 和底部对铂丝进行密封处理。此类热电阻具有高可重现性，过程温度高达 600 °C (1112 °F)时， 仍能保证良好的阻抗-温度关系的长期稳定性。绕线式(WW)热电阻的体积较大，抗振性较差。

• 薄膜式铂电阻温度计(TF)：在真空状态下，将厚度约为 1 μm 的超高纯度铂层汽化固定在陶瓷基 板上，光刻制作而成。由此构成的铂导体形成测量阻抗。附加覆盖层和钝化层可靠保护薄铂 层，防止高温条件下出现氧化和污染。

薄膜式(TF)热电阻与绕线式(WW)热电阻相比，突出优点为较小的体积和较好的抗振性。高温条件 下，薄膜式(TF)热电阻的阻抗-温度关系偏差较小，符合 IEC 60751 标准。因此，薄膜式(TF)热电阻的温度测量误差可达温度等 A，符合 IEC 60751 标准(Z高温度约为 300 °C (572 °F))。所以， 薄膜式(TF)热电阻通常仅在温度低于 400 °C (752 °F)的条件下测量。

Endress+Hauser 提供用于温度测量点的整套优化部件，包括将测量点无缝集成至整个工厂中的所 有所需部件。包括：

• 电源单元/隔离栅

• 显示单元

• 过电压保护单元